STMicroelectronics STripFET V Type N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2N2VH5

Код товара RS: 791-7876Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STR2N2VH5
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

2.3A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

20V

Корпус

SOT-23

Серия

STripFET V

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

40mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

350mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

8 V

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

6nC

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

1.75 mm

Материал каски/сварочной маски

1.3мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 246,50

тг 424,65 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET V Type N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2N2VH5
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 4 246,50
20тг 8 493,00
30тг 12 739,50
40тг 16 986,00
50тг 18 997,50
60тг 22 797,00
70тг 26 596,50
80тг 30 396,00
90тг 34 195,50
100тг 37 995,00
110тг 41 794,50
120тг 45 594,00
130тг 49 393,50
140тг 53 193,00
150тг 56 992,50

тг 4 246,50

тг 424,65 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET V Type N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2N2VH5

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 4 246,50
20тг 8 493,00
30тг 12 739,50
40тг 16 986,00
50тг 18 997,50
60тг 22 797,00
70тг 26 596,50
80тг 30 396,00
90тг 34 195,50
100тг 37 995,00
110тг 41 794,50
120тг 45 594,00
130тг 49 393,50
140тг 53 193,00
150тг 56 992,50

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 424,65тг 4 246,50
50 - 240тг 379,95тг 3 799,50
250 - 490тг 317,37тг 3 173,70
500 - 990тг 268,20тг 2 682,00
1000+тг 236,91тг 2 369,10

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

2.3A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

20V

Корпус

SOT-23

Серия

STripFET V

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

40mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

350mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

8 V

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

6nC

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

1.75 mm

Материал каски/сварочной маски

1.3мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics