Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2.3A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
20V
Корпус
SOT-23
Серия
STripFET V
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
40mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
8 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
6nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Прямое напряжение (Vf)
1.1V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
1.75 mm
Материал каски/сварочной маски
1.3мм
Длина
3.04мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2.3A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
20V
Корпус
SOT-23
Серия
STripFET V
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
40mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
8 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
6nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Прямое напряжение (Vf)
1.1V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
1.75 mm
Материал каски/сварочной маски
1.3мм
Длина
3.04мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
