STMicroelectronics STR2N2VH5 MOSFET

Код товара RS: 165-6538Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STR2N2VH5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

2.3A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

20V

Корпус

SOT-23

Серия

STripFET V

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

40mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

8 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

6nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

350mW

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

1.75 mm

Материал каски/сварочной маски

1.3мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STR2N2VH5 MOSFET

P.O.A.

STMicroelectronics STR2N2VH5 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

2.3A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

20V

Корпус

SOT-23

Серия

STripFET V

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

40mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

8 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

6nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

350mW

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

1.75 mm

Материал каски/сварочной маски

1.3мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics