N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 STMicroelectronics STR2N2VH5

Код товара RS: 791-7876PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STR2N2VH5
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

STripFET V

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.7V

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.75мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.3мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 STMicroelectronics STR2N2VH5
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 STMicroelectronics STR2N2VH5
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

STripFET V

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.7V

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.75мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.3мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics