Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Диод
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
TO-263
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
4A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
650V
Конфигурация диода
Одиночный
Серия
STPSC
Число контактов
2
Пиковый обратный ток (Ir)
35μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
2.25V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
200A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
28.25мм
Материал каски/сварочной маски
4.5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics 650V high surge silicon carbide power schottky diode has a current rating of 4A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases. This SiC diode will boost the performance in hard switching condition.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
2500
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Диод
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
TO-263
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
4A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
650V
Конфигурация диода
Одиночный
Серия
STPSC
Число контактов
2
Пиковый обратный ток (Ir)
35μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
2.25V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
200A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
28.25мм
Материал каски/сварочной маски
4.5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics 650V high surge silicon carbide power schottky diode has a current rating of 4A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases. This SiC diode will boost the performance in hard switching condition.
