Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Диод Шоттки
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
TO-220
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
4A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
650V
Конфигурация диода
Диод Шоттки из карбида кремния
Серия
STPSC
Тип выпрямителя
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
Число контактов
2
Пиковый обратный ток (Ir)
170μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
1.3V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
385A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
15.75мм
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Диод Шоттки
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
TO-220
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
4A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
650V
Конфигурация диода
Диод Шоттки из карбида кремния
Серия
STPSC
Тип выпрямителя
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
Число контактов
2
Пиковый обратный ток (Ir)
170μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
1.3V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
385A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
15.75мм
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
