Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Диод Шоттки
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
HU3PAK
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
30A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
650V
Конфигурация диода
Диод Шоттки из карбида кремния
Серия
STPSC
Тип выпрямителя
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
Число контактов
7
Пиковый обратный ток (Ir)
1200μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
1.3V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
1100A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
11.9мм
Материал каски/сварочной маски
3.6мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 600) (ex VAT)
600
P.O.A.
Each (On a Reel of 600) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
600
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Диод Шоттки
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
HU3PAK
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
30A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
650V
Конфигурация диода
Диод Шоттки из карбида кремния
Серия
STPSC
Тип выпрямителя
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
Число контактов
7
Пиковый обратный ток (Ir)
1200μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
1.3V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
1100A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
11.9мм
Материал каски/сварочной маски
3.6мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
