Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Диод Шоттки
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
TO-220AC
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
10A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
650V
Конфигурация диода
Одиночный
Серия
STPSC10065
Тип выпрямителя
Диод Шоттки
Число контактов
2
Пиковый обратный ток (Ir)
130μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
1.65V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
48A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
15.75мм
Стандарты/одобрения
ECOPACK, UL94 V0
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Диод Шоттки
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
TO-220AC
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
10A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
650V
Конфигурация диода
Одиночный
Серия
STPSC10065
Тип выпрямителя
Диод Шоттки
Число контактов
2
Пиковый обратный ток (Ir)
130μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
1.65V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
48A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
15.75мм
Стандарты/одобрения
ECOPACK, UL94 V0
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases
