STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 8 A, 900 V, 3-Pin TO-220 STP9NK90Z

Код товара RS: 761-0213Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP9NK90Z
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 885,06

тг 885,06 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 8 A, 900 V, 3-Pin TO-220 STP9NK90Z
Select packaging type

тг 885,06

тг 885,06 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 8 A, 900 V, 3-Pin TO-220 STP9NK90Z
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 885,06
10 - 49тг 862,71
50 - 99тг 844,83
100 - 249тг 822,48
250+тг 804,60

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics