Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
7.2A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
500V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
850mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
32nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
30W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
9.3мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 3 151,35
тг 630,27 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 3 151,35
тг 630,27 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 630,27 | тг 3 151,35 |
| 25 - 45 | тг 522,99 | тг 2 614,95 |
| 50 - 95 | тг 514,05 | тг 2 570,25 |
| 100 - 245 | тг 415,71 | тг 2 078,55 |
| 250+ | тг 406,77 | тг 2 033,85 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
7.2A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
500V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
850mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
32nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
30W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
9.3мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
