STMicroelectronics STP8N65M5 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.4мм
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
15.75мм
Серия
MDmesh M5
тг 2 883,15
тг 576,63 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
тг 2 883,15
тг 576,63 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 5 | тг 576,63 | тг 2 883,15 |
| 10 - 45 | тг 563,22 | тг 2 816,10 |
| 50 - 95 | тг 518,52 | тг 2 592,60 |
| 100 - 245 | тг 464,88 | тг 2 324,40 |
| 250+ | тг 438,06 | тг 2 190,30 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.4мм
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
15.75мм
Серия
MDmesh M5