Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
80A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
TO-220
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
15mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
300W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
135nC
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
9.15мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 1 108,56
тг 1 108,56 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 108,56
тг 1 108,56 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 1 108,56 |
| 25 - 99 | тг 898,47 |
| 100 - 249 | тг 728,61 |
| 250 - 499 | тг 710,73 |
| 500+ | тг 625,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
80A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
TO-220
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
15mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
300W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
135nC
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
9.15мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
