STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP80NF06

Код товара RS: 687-5324Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP80NF06
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

115 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

PRICED TO CLEAR

Yes

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 698,60

тг 849,30 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP80NF06
Select packaging type

тг 1 698,60

тг 849,30 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP80NF06

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 849,30тг 1 698,60
10 - 18тг 831,42тг 1 662,84
20 - 48тг 813,54тг 1 627,08
50 - 98тг 786,72тг 1 573,44
100+тг 590,04тг 1 180,08

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

115 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

PRICED TO CLEAR

Yes

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics