N-Channel MOSFET, 5 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP7N60M2

Код товара RS: 786-3814PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP7N60M2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

MDmesh M2

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

950 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,8 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 5 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP7N60M2
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 5 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP7N60M2
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

MDmesh M2

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

950 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,8 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics