STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 33 V, 3-Pin TO-220 STP75NS04Z

Код товара RS: 761-2928Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP75NS04Z
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

33 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 793,75

тг 558,75 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 33 V, 3-Pin TO-220 STP75NS04Z
Select packaging type

тг 2 793,75

тг 558,75 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 33 V, 3-Pin TO-220 STP75NS04Z

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 558,75тг 2 793,75
10 - 45тг 460,41тг 2 302,05
50 - 95тг 451,47тг 2 257,35
100 - 245тг 366,54тг 1 832,70
250+тг 362,07тг 1 810,35

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

33 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics