Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
33 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
11 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Типичный заряд затвора при Vgs
50 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15.75мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 793,75
тг 558,75 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 793,75
тг 558,75 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 5 | тг 558,75 | тг 2 793,75 |
| 10 - 45 | тг 460,41 | тг 2 302,05 |
| 50 - 95 | тг 451,47 | тг 2 257,35 |
| 100 - 245 | тг 366,54 | тг 1 832,70 |
| 250+ | тг 362,07 | тг 1 810,35 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
33 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
11 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Типичный заряд затвора при Vgs
50 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15.75мм
Информация о товаре
