Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
5.8A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
900V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
2Ом
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
46.5nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
30W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
9.3мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
5.8A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
900V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
2Ом
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
46.5nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
30W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
9.3мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
