STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP65NF06

Код товара RS: 761-0156Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP65NF06
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

60A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

14Ом

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

54nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 972,55

тг 594,51 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP65NF06
Select packaging type

тг 2 972,55

тг 594,51 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP65NF06

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 594,51тг 2 972,55
10 - 45тг 469,35тг 2 346,75
50 - 95тг 460,41тг 2 302,05
100 - 245тг 375,48тг 1 877,40
250+тг 366,54тг 1 832,70

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

60A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

14Ом

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

54nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics