STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP60NF10

Код товара RS: 761-0159Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP60NF10
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

23mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

300W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

104nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 576,00

тг 715,20 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP60NF10
Select packaging type

тг 3 576,00

тг 715,20 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP60NF10

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 715,20тг 3 576,00
10 - 45тг 710,73тг 3 553,65
50 - 95тг 634,74тг 3 173,70
100 - 245тг 567,69тг 2 838,45
250+тг 540,87тг 2 704,35

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

80A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

23mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

300W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

104nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics