STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP60NF10

Код товара RS: 761-0159Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP60NF10
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

104 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 576,00

тг 715,20 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP60NF10
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 576,00
10тг 7 107,30
15тг 10 660,95
20тг 14 214,60
25тг 17 768,25
30тг 21 321,90
35тг 24 875,55
40тг 28 429,20
45тг 31 982,85
50тг 31 737,00
55тг 34 910,70
60тг 38 084,40
65тг 41 258,10
70тг 44 431,80
75тг 47 605,50

тг 3 576,00

тг 715,20 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP60NF10
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 576,00
10тг 7 107,30
15тг 10 660,95
20тг 14 214,60
25тг 17 768,25
30тг 21 321,90
35тг 24 875,55
40тг 28 429,20
45тг 31 982,85
50тг 31 737,00
55тг 34 910,70
60тг 38 084,40
65тг 41 258,10
70тг 44 431,80
75тг 47 605,50

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 715,20тг 3 576,00
10 - 45тг 710,73тг 3 553,65
50 - 95тг 634,74тг 3 173,70
100 - 245тг 567,69тг 2 838,45
250+тг 540,87тг 2 704,35

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

104 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics