Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

STMicroelectronics STP60NF06L MOSFET

Код товара RS: 485-7816Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP60NF06LDistrelec Article No.: 30401340
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-15 В, +15 В

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 4,5 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 927,85

тг 585,57 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP60NF06L MOSFET
Select packaging type

тг 2 927,85

тг 585,57 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP60NF06L MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 585,57тг 2 927,85
25 - 95тг 473,82тг 2 369,10
100 - 245тг 384,42тг 1 922,10
250 - 495тг 379,95тг 1 899,75
500+тг 330,78тг 1 653,90

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-15 В, +15 В

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 4,5 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics