STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
55A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-220
Серия
STP
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
45mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
245W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
80nC
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
10.4 mm
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
28.9мм
Стандарты/одобрения
UL
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
55A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-220
Серия
STP
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
45mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
245W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
80nC
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
10.4 mm
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
28.9мм
Стандарты/одобрения
UL
Автомобильный стандарт
AEC-Q101