Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

STMicroelectronics STP55NF06L MOSFET

Код товара RS: 485-7721Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP55NF06L
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

95 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 4,5 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Toshiba N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK35E08N1
тг 442,53Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 726,70

тг 545,34 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP55NF06L MOSFET
Select packaging type

тг 2 726,70

тг 545,34 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP55NF06L MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 545,34тг 2 726,70
25 - 95тг 491,70тг 2 458,50
100 - 245тг 397,83тг 1 989,15
250 - 495тг 388,89тг 1 944,45
500+тг 357,60тг 1 788,00
Вас может заинтересовать
Toshiba N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK35E08N1
тг 442,53Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

95 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 4,5 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Toshiba N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK35E08N1
тг 442,53Each (In a Pack of 5) (ex VAT)