N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP45NF06

Код товара RS: 485-7658PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP45NF06
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

28 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STP45NF06 MOSFET
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP45NF06
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP45NF06

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STP45NF06 MOSFET
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

28 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STP45NF06 MOSFET
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)