STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 3 A, 900 V, 3-Pin TO-220FP STP3NK90ZFP

Код товара RS: 761-0124Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP3NK90ZFP
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-220FP

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,8 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

22,7 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

16.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 877,40

тг 375,48 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 3 A, 900 V, 3-Pin TO-220FP STP3NK90ZFP
Select packaging type

тг 1 877,40

тг 375,48 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 3 A, 900 V, 3-Pin TO-220FP STP3NK90ZFP
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 375,48тг 1 877,40
10 - 45тг 299,49тг 1 497,45
50 - 95тг 295,02тг 1 475,10
100 - 245тг 241,38тг 1 206,90
250+тг 232,44тг 1 162,20

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-220FP

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,8 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

22,7 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

16.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics