STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 3-Pin TO-220 STP3N80K5

Код товара RS: 829-4436Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP3N80K5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

MDmesh K5, SuperMESH5

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

тг 3 196,05

тг 639,21 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 3-Pin TO-220 STP3N80K5
Select packaging type

тг 3 196,05

тг 639,21 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 3-Pin TO-220 STP3N80K5

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 639,21тг 3 196,05
25 - 95тг 514,05тг 2 570,25
100 - 245тг 420,18тг 2 100,90
250 - 495тг 411,24тг 2 056,20
500+тг 362,07тг 1 810,35

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

MDmesh K5, SuperMESH5

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics