STMicroelectronics STP36NF06L MOSFET

Код товара RS: 486-5671Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP36NF06L
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-18 В, +18 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 5 В

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 989,15

тг 397,83 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP36NF06L MOSFET
Select packaging type

тг 1 989,15

тг 397,83 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP36NF06L MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 397,83тг 1 989,15
25 - 95тг 308,43тг 1 542,15
100 - 245тг 250,32тг 1 251,60
250 - 495тг 245,85тг 1 229,25
500+тг 223,50тг 1 117,50
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-18 В, +18 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 5 В

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать