Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-18 В, +18 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.4мм
Ширина
4.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 5 В
Материал транзистора
Кремний
Высота
9.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 20 | P.O.A. |
25 - 95 | P.O.A. |
100 - 245 | P.O.A. |
250 - 495 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-18 В, +18 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.4мм
Ширина
4.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 5 В
Материал транзистора
Кремний
Высота
9.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре