STMicroelectronics STP36NF06L MOSFET

Код товара RS: 486-5671Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP36NF06L
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-18 В, +18 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 5 В

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STP36NF06L MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics STP36NF06L MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
5 - 20P.O.A.
25 - 95P.O.A.
100 - 245P.O.A.
250 - 495P.O.A.
500+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-18 В, +18 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 5 В

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics