SiC N-Channel MOSFET Module, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STP33N60DM6

Код товара RS: 202-5529Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP33N60DM6
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220FP

Серия

ST

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,115 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

4.75V

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET Module, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STP33N60DM6

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET Module, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STP33N60DM6
Информация о наличии не успела загрузиться

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220FP

Серия

ST

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,115 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

4.75V

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1