STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel Power MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP310N10F7

Код товара RS: 786-3798Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP310N10F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

180A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

2.7mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

315W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

±20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

180nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 318,02

тг 2 159,01 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel Power MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP310N10F7
Select packaging type

тг 4 318,02

тг 2 159,01 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel Power MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP310N10F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 48тг 2 159,01тг 4 318,02
50 - 248тг 1 779,06тг 3 558,12
250 - 498тг 1 425,93тг 2 851,86
500 - 998тг 1 054,92тг 2 109,84
1000+тг 978,93тг 1 957,86

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

180A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

2.7mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

315W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

±20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

180nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics