N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP26N65DM2

Код товара RS: 192-4952Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP26N65DM2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

190 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

Ширина

4.6мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35,5 нКл при 10 В.

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.6V

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP26N65DM2
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP26N65DM2
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

190 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

Ширина

4.6мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35,5 нКл при 10 В.

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.6V

Страна происхождения

China