STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

Код товара RS: 192-4925Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP26N60DM6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

15A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

195mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

24nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

15A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

195mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

24nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China