STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
15 A
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
195 м. Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.75V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.25V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.6мм
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.6V
Высота
15.75мм
Страна происхождения
China
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
15 A
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
195 м. Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.75V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.25V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.6мм
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.6V
Высота
15.75мм
Страна происхождения
China