STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP260N6F6

Код товара RS: 920-8751Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP260N6F6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4.6мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

183 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

P.O.A.

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP260N6F6

P.O.A.

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP260N6F6

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4.6мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

183 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics