STMicroelectronics STP24NF10 N-channel MOSFET, 26 A, 100 V STripFET, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 687-5377PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP24NF10
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

26 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

70 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

85 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STP24NF10 MOSFET
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics STP24NF10 N-channel MOSFET, 26 A, 100 V STripFET, 3-Pin TO-220
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics STP24NF10 N-channel MOSFET, 26 A, 100 V STripFET, 3-Pin TO-220

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STP24NF10 MOSFET
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

26 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

70 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

85 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STP24NF10 MOSFET
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)