STMicroelectronics STP240N10F7 MOSFET

Код товара RS: 168-8826Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP240N10F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

DeepGate, STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4.6мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STP240N10F7 MOSFET

P.O.A.

STMicroelectronics STP240N10F7 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

DeepGate, STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4.6мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics