Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
DeepGate, STripFET
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.6мм
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
160 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15.75мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
DeepGate, STripFET
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.6мм
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
160 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15.75мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
