Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
18.5A
Число контактов
3
Корпус
TO-220
Время спада
40ns
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
27ns
Минимальное напряжение питания
3V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
30V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
15.75мм
Материал каски/сварочной маски
34.95мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
18.5A
Число контактов
3
Корпус
TO-220
Время спада
40ns
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
27ns
Минимальное напряжение питания
3V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
30V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
15.75мм
Материал каски/сварочной маски
34.95мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.
