STMicroelectronics STP19NF20 MOSFET

Код товара RS: 414-226Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP19NF20
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 620,70

тг 362,07 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics STP19NF20 MOSFET
Select packaging type

тг 3 620,70

тг 362,07 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics STP19NF20 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 362,07тг 3 620,70
50 - 90тг 321,84тг 3 218,40
100 - 240тг 281,61тг 2 816,10
250 - 490тг 250,32тг 2 503,20
500+тг 232,44тг 2 324,40

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics