STMicroelectronics STP18N65M2 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
12A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-220
Серия
MDmesh M2
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
110W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
-25/25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
15.75мм
Ширина
4.6 mm
Количество элементов на ИС
1
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
12A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-220
Серия
MDmesh M2
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
110W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
-25/25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
15.75мм
Ширина
4.6 mm
Количество элементов на ИС
1
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).