STMicroelectronics STP18N55M5 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
13A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
550V
Корпус
TO-220
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
240mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
90W
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
31nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
10.4мм
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
15.75мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
13A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
550V
Корпус
TO-220
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
240mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
90W
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
31nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
10.4мм
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
15.75мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.