STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP140N8F7

Код товара RS: 791-7810Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP140N8F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

90A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

80V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

4.3mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

200W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

96nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

10.4мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 788,65

тг 1 157,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP140N8F7
Select packaging type

тг 5 788,65

тг 1 157,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP140N8F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 1 157,73тг 5 788,65
50 - 245тг 902,94тг 4 514,70
250 - 495тг 737,55тг 3 687,75
500 - 995тг 621,33тг 3 106,65
1000+тг 581,10тг 2 905,50

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

90A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

80V

Корпус

TO-220

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

4.3mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

200W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

96nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

10.4мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics