STMicroelectronics STP140N6F7 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
80A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
TO-220
Серия
STripFET F7
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
3.5mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
158W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
55nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
9.15мм
Длина
10.4мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
80A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
TO-220
Серия
STripFET F7
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
3.5mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
158W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
55nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
9.15мм
Длина
10.4мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.