N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP140N6F7

Код товара RS: 906-4693Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP140N6F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET F7

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

158 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

55 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

9.15мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP140N6F7
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP140N6F7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET F7

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

158 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

55 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

9.15мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics