STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP120NF10

Код товара RS: 687-5295Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP120NF10
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

120A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Серия

STripFET II

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

10.5mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

172nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

312W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимальная рабочая температура

175°C

Материал каски/сварочной маски

9.15мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.6 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 163,48

тг 1 081,74 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP120NF10
Select packaging type

тг 2 163,48

тг 1 081,74 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP120NF10

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 1 081,74тг 2 163,48
10 - 18тг 907,41тг 1 814,82
20 - 48тг 889,53тг 1 779,06
50 - 98тг 867,18тг 1 734,36
100+тг 768,84тг 1 537,68

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

120A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Серия

STripFET II

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

10.5mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

172nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

312W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимальная рабочая температура

175°C

Материал каски/сварочной маски

9.15мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.6 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics