STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP10NM60N

Код товара RS: 760-9972Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP10NM60N
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

10A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-220

Серия

MDmesh

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

550mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

70W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

19nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Transistor,MOSFET,N-channel,is
P.O.A.Each (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 240,75

тг 648,15 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP10NM60N
Select packaging type

тг 3 240,75

тг 648,15 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP10NM60N

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 648,15тг 3 240,75
10 - 45тг 505,11тг 2 525,55
50 - 95тг 442,53тг 2 212,65
100 - 245тг 393,36тг 1 966,80
250+тг 362,07тг 1 810,35
Вас может заинтересовать
Transistor,MOSFET,N-channel,is
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

10A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-220

Серия

MDmesh

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

550mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

70W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

19nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Transistor,MOSFET,N-channel,is
P.O.A.Each (ex VAT)