STMicroelectronics STP10NK60ZFP MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
750 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
50 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.3мм
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 20 | P.O.A. |
| 25 - 45 | P.O.A. |
| 50 - 95 | P.O.A. |
| 100 - 245 | P.O.A. |
| 250+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
750 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
50 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.3мм
Информация о товаре