STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STP10NK60Z

Код товара RS: 485-7412Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP10NK60Z
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

750 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

115 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

тг 3 196,05

тг 639,21 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STP10NK60Z
Select packaging type

тг 3 196,05

тг 639,21 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STP10NK60Z

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 639,21тг 3 196,05
25 - 95тг 540,87тг 2 704,35
100 - 245тг 478,29тг 2 391,45
250 - 495тг 433,59тг 2 167,95
500+тг 433,59тг 2 167,95

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

750 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

115 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics