STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP100N8F6

Код товара RS: 719-658Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP100N8F6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

N-канальный

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

100A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

80V

Серия

STP

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.009Ом

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

100nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

176W

Максимальная рабочая температура

175°C

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

15.75мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP100N8F6

P.O.A.

STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP100N8F6

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

N-канальный

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

100A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

80V

Серия

STP

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.009Ом

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

100nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

176W

Максимальная рабочая температура

175°C

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

15.75мм

Страна происхождения

China