STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 100 mA 1200 V, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 877-2946PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP03D200
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

100mA

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

1200V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Полярность транзистора

NPN

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

20V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

2000V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

STP03D200

Максимальный запирающий ток коллектора

100μA

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 100 mA 1200 V, 3-Pin TO-220
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 100 mA 1200 V, 3-Pin TO-220

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

100mA

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

1200V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Полярность транзистора

NPN

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

20V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

2000V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

STP03D200

Максимальный запирающий ток коллектора

100μA

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.