STMicroelectronics STO67N60DM6 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 206-6067Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STO67N60DM6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

33A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-220

Серия

STO67N60DM6

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

59mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

72.5nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

150W

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.8 mm

Материал каски/сварочной маски

2.2мм

Длина

11.48мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 1800) (ex VAT)

STMicroelectronics STO67N60DM6 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

P.O.A.

Each (On a Reel of 1800) (ex VAT)

STMicroelectronics STO67N60DM6 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

33A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-220

Серия

STO67N60DM6

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

59mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

72.5nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

150W

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.8 mm

Материал каски/сварочной маски

2.2мм

Длина

11.48мм

Автомобильный стандарт

Нет