Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип P
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
3A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
SOT-223
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
160mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
-1.1V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
2.6W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
6.4nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
6.7мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
3.7 mm
Материал каски/сварочной маски
1.8мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип P
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
3A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
SOT-223
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
160mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
-1.1V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
2.6W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
6.4nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
6.7мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
3.7 mm
Материал каски/сварочной маски
1.8мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
