STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

Код товара RS: 877-2949PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STN3P6F6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип P

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

3A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

SOT-223

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

160mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

-1.1V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2.6W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

6.4nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

6.7мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

3.7 mm

Материал каски/сварочной маски

1.8мм

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип P

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

3A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

SOT-223

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

160mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

-1.1V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2.6W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

6.4nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

6.7мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

3.7 mm

Материал каски/сварочной маски

1.8мм

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics