Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
250 мА
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Тип корпуса
SOT-223
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
16 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
7,7 нКл при 10 В
Ширина
3.5мм
Высота
1.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
250 мА
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Тип корпуса
SOT-223
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
16 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
7,7 нКл при 10 В
Ширина
3.5мм
Высота
1.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре