STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 250 mA, 800 V, 3-Pin SOT-223 STN1NK80Z

Код товара RS: 714-1076PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STN1NK80Z
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

250 мА

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

SOT-223

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

16 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

7,7 нКл при 10 В

Ширина

3.5мм

Высота

1.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 250 mA, 800 V, 3-Pin SOT-223 STN1NK80Z
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 250 mA, 800 V, 3-Pin SOT-223 STN1NK80Z
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

250 мА

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

SOT-223

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

16 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

7,7 нКл при 10 В

Ширина

3.5мм

Высота

1.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics